【日本人講師】800GbE／1.6TbE実現に向けた基板技術動向
AI-DC向け高速伝送基板の材料開発競争と、スイッチ・ラインカード・バックプレーンの技術詳細。
開催概要
| 日時 | 2027年1月15日（金） 13:00–17:00 台湾時間（日本時間は台湾時間 ＋1 時間） |
|---|---|
| 受講形式 | オンライン（ライブ配信）日本からのご参加はオンラインのみとなります。接続 URL は開催前にメールでご案内します。 ※紙の講義資料（レジュメ）のご提供はございません。 |
| 使用言語 | 日本語（中国語への逐次通訳あり）台湾・日本双方からご参加いただくため、講演は日本語で行い、中国語へ逐次通訳いたします。 |
| 講師 | 日本企業出身の専門家です。 |
| 受講料 | お問い合わせください。 |
| お支払い方法 | お申込み後にご案内いたします。 |
| 主催 | 三建産業情報有限会社（SUMKEN） |
| お申込み | 本ページ下部の お申込みフォーム よりお申込みください（メールアドレスの確認コード認証あり）。 |
コース内容
AIデータセンター向け基板が急拡大する中、Backplane基板やGP-GPU Chiplet基板などの開発動向が注目されています。
特にノード間では、400GbEから800GbE（112Gbps, PAM4）への移行に向けた基板材料の開発が進行中です（M9など）。次世代の目標は、1.6TbE対応の基板材料開発です。
先端材料では、低Dk（Skew低減目的）かつ周波数変動の小さいフッ素樹脂とHC（炭化水素系材料）が重視されており、日本の材料メーカーが現在リードしていますが、世界的な材料開発競争がすでに始まっています。また、関連する高機能フィラーや高速BS材料も並行して開発が進んでいます。
ノード内（GPU間）ではns級レイテンシとTB/s級帯域が期待され、ノード間ではイーサネットやBroadcom Tomahawkシリーズスイッチチップ、InfiniBandによりμs級レイテンシが実現されます。
本講演ではこれらの新材料技術動向を詳説し、実際に採用されている基板を例に、以下の技術詳細を説明します：
（1）スイッチ基板（ASIC搭載PCB）
（2）ラインカード基板（Switch Line Card）
（3）バックプレーン／ミッドプレーン（Backplane / Midplane）
（講師が最新の業界動向とリアルタイム情報を反映するため、詳細なセミナープログラムは開催1か月前に確定・公開いたします。）
受講料と海外送金（銀行振込）先
| Bank Name | Bank SinoPac |
|---|---|
| Swift Code | SINOTWTP |
| A/C No. | 040-008-0010535-3 |
| A/C Name | SumKen Ltd. |
※お申込み後、上記口座宛にお振込みください。
※送金手数料（発信銀行・中継銀行・受取銀行のすべて）はお客様のご負担となります。送金時に手数料区分を「OUR（送金人負担）」でご指定ください。
※「SHA」「BEN」でお手続きされますと受講料が不足額でのご入金となり、差額を別途お振込みいただく必要がございます。
※ご入金が確認でき次第、担当者よりご連絡いたします。
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下記フォームよりお申込みください。内容を確認のうえ、担当者よりメールでご連絡いたします。