【日本人講師】AIが牽引するHBM・HBF・HBSメモリと先端パッケージング技術
TSV・ハイブリッドボンディング・3D Fan-Outなど、AIメモリを支える実装技術の将来を展望。
開催概要
| 日時 | 2026年8月31日（月） 09:30–16:30 台湾時間（日本時間は台湾時間 ＋1 時間） |
|---|---|
| 会場 | 台南会場の詳細（住所・アクセス）はお申込み後にご案内いたします |
| 受講形式 | 会場受講／オンライン（ライブ配信）／録画配信 |
| 講師 | 日本企業出身の専門家が担当します。台南会場での対面開催となります。 |
| 受講料 | NT$6,615（台湾ドル・お一人様・税込）受講料は台湾ドル建てです。お振込み時の為替・手数料はお客様のご負担となります。 |
| 主催 | 三建産業情報有限会社（SUMKEN） |
| お申込み | このコースは終了しました。次回開催のご案内をご希望の方は sumken@sum-ken.com までお問い合わせください。 |
コース内容
AIは先端ロジックデバイス（Logic Device）の微細化プロセス開発を牽引しており、その性能を有効に引き出すためには、先端パッケージング技術によるメモリとの高集積化を通じて、システムレベル（System-Level）の総合性能を高めることが不可欠です。
広帯域メモリ（HBM）は今後、積層チップ（Stacked Chips）の層数増加に加え、Base Dieの微細化によるさらなる性能向上が図られ、関連技術の開発が続くと見込まれます。
また、AI InferenceとEdge AIが各産業分野へ浸透するにつれてAI市場は一段と拡大し、NAND FlashをベースとするHBFや、大容量と低消費電力を兼ね備えたHBSストレージ技術への需要も高まり続けると予想されます。
本セミナーでは、AIメモリに必要とされるTSV、Hybrid Bonding、3D Fan-Outなどの技術を取り上げ、今後のメモリパッケージング技術の発展トレンドを概観します。
1. Introduction
2. Fundamentals of Mid-end process technologies for 3D integration
2.1 TSV process (Via Middle, Back side via)
2.2 Memory die stacking (NCF, MUF for HBM)
2.3 Wafer-to-Wafer hybrid bonding for CIS, NAND
2.4 CoW hybrid bonding for on-chip memory
3. 3D Fan-Out integration
3.1 Through Mold interconnect process options
3.2 LPW with vertical wire bonding for AI mobile memory
4. Memory packaging innovation
4.1 Customized HBM to improve power efficiency
4.2 HBF, HBS emerging for AI
5. Closing and Q&A